| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
1206 - 150 КОМ 5% RC1206JR-07150KL (RS-06K154JT) |
|
|
FENGHUA
|
|
|
|
|
|
|
2200МКФ10В(10X21)105°C |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2200МКФ10В(10X21)105°C |
|
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
|
1 788
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NXP
|
16 000
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PHILIPS
|
28 085
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
WUXI XUYANG
|
9 644
|
1.29
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
SEMTECH
|
78
|
1.71
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
HOTTECH
|
50
|
2.16
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
1
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PLINGSEMIC
|
32 644
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
ST MICROELECTRONICS
|
20 820
|
10.60
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
|
34
|
27.72
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
3 010
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
Rohm Semiconductor
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
674
|
|
|
|
|
|
MFM-10-24 |
|
|
MW
|
238
|
529.54
|
|
|
|
|
MFM-10-24 |
|
|
MEANWELL
|
|
|
|
|
|
|
MFM-10-24 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MFM-10-24 |
|
|
MEAN WELL
|
|
|
|