|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST MICROELECTRONICS
|
3 251
|
9.00
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GOODWORK SEMICONDUCTER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTRON
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DC COMPONENTS
|
6 353
|
3.27
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIC
|
45 668
|
1.98
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YJ
|
21 368
|
2.25
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DC COMPONENTS
|
3 692
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
21
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GOODWORK SEMICONDUCTER, INC.
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
80
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTRON
|
240
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YJ ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
КИТАЙ
|
480
|
3.15
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LESHAN RADIO COMPANY, LTD
|
43 351
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DIODES INC.
|
14
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MMC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIG
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
|
19 483
|
1.83
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
JY
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SUNTAN
|
3 597
|
3.11
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YANGJIE
|
17 600
|
2.46
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIС
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
1
|
|
|
|
|
|
2SA1020 |
|
Транзистор PNP lo-sat (50V, 2A, 0.9W, 100MHz)
|
|
1
|
40.70
|
|
|
|
2SA1020 |
|
Транзистор PNP lo-sat (50V, 2A, 0.9W, 100MHz)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SA1020 |
|
Транзистор PNP lo-sat (50V, 2A, 0.9W, 100MHz)
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SA1020 |
|
Транзистор PNP lo-sat (50V, 2A, 0.9W, 100MHz)
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2SA1020 |
|
Транзистор PNP lo-sat (50V, 2A, 0.9W, 100MHz)
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
2SA1020 |
|
Транзистор PNP lo-sat (50V, 2A, 0.9W, 100MHz)
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
2SC2655Y |
|
|
TOSHIBA
|
40
|
24.57
|
|
|
|
2SC2655Y |
|
|
|
8
|
68.04
|
|
|
|
2SC2655Y |
|
|
TOSHIBA
|
64
|
|
|
|
|
ECAP 1200/160V 2545 HC |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1200 мкФ 160 В
|
SAMWHA
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FSC
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
|
|
592.00
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
США
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
ONS
|
|
|
|