TNY268G


Купить TNY268G по цене 108.00 руб.  (без НДС 20%)
TNY268G
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
TNY268G цена радиодетали 108.00 
TNY268G (POWER INTEGRATIONS.) 36 3-4 недели
Цена по запросу
TNY268G (4-7 НЕДЕЛЬ) 327 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики TNY268G

КорпусSMD-8B
Корпус (размер)8-SMD Gull Wing, 7 Leads
Мощность (Ватт)23W
Рабочая температура-40°C ~ 150°C
Напряжение выходное700V
Частотный диапозон124 ~ 140kHz
Изоляция выходаIsolated
СерияTinySwitch®-II
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс     Заказ радиодеталей 8.28 
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   PHILIPS 41 цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   KEENSIDE 85 1.09 
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   ASEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   KEEN SIDE 14 480 1.70 
>100 шт.   0.85 
    ICE3B0365J SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ICE3B0365J SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W     2 226.80 
    ICE3B0365J SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W   Infineon Technologies Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ICE3B0365J SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ICE3B0365J SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W   4-7 НЕДЕЛЬ 134 цена радиодетали
KBU810 Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В   DC COMPONENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
KBU810 Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В     1 473 23.46 
KBU810 Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В   YJ 881 23.41 
KBU810 Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В   HOTTECH 4 411 21.03 
KBU810 Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В   KOME Заказ радиодеталей цена радиодетали
KBU810 Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В   SUNTAN Заказ радиодеталей цена радиодетали
KBU810 Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В   YANGJIE 3 200 24.67 
KBU810 Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В   YANGJIE (YJ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
KBU810 Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
KBU810 Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В   YIXING Заказ радиодеталей цена радиодетали
KBU810 Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В   SEP Заказ радиодеталей цена радиодетали
KBU810 Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В   YANGZHOU YANGJIE Заказ радиодеталей цена радиодетали
KBU810 Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В   RUME 1 600 19.15 
    SQP 5W 4.7K 5%       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    SQP 5W 4.7K 5%     YAGEO Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход