|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AT27C010-45JU |
|
|
Atmel
|
|
|
|
|
|
AT27C010-45JU |
|
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
AT27C010-45JU |
|
|
|
|
|
|
|
|
AT27C010-45JU |
|
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
AT27C010-45JU |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
644
|
|
|
|
|
BTS409L1E3062A |
|
Микросхема High-Side переключ. 43В, 2,3A
|
INFINEON
|
90
|
359.59
|
|
|
|
BTS409L1E3062A |
|
Микросхема High-Side переключ. 43В, 2,3A
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BTS409L1E3062A |
|
Микросхема High-Side переключ. 43В, 2,3A
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZT4 |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
|
|
572.00
|
|
|
|
STGB10NB37LZT4 |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
ST MICROELECTRONICS
|
334
|
516.60
|
|
|
|
STGB10NB37LZT4 |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZT4 |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZT4 |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
VN5016AJTR-E |
|
Интеллектуальный ключ
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 101
|
260.42
|
|
|
|
VN5016AJTR-E |
|
Интеллектуальный ключ
|
|
|
|
|
|
|
VN5016AJTR-E |
|
Интеллектуальный ключ
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
VN5016AJTR-E |
|
Интеллектуальный ключ
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
VN5016AJTR-E |
|
Интеллектуальный ключ
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
301
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
WINBOND
|
536
|
278.96
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
WIN
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
Winbond Electronics
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
|
|
141.80
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
1 257
|
|
|