Версия для печати

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AT27C010-45JU			Atmel
		AT27C010-45JU			ATMEL CORPORATION
		AT27C010-45JU
		AT27C010-45JU			MICRO CHIP
		AT27C010-45JU			4-7 НЕДЕЛЬ	644
		BTS409L1E3062A		Микросхема High-Side переключ. 43В, 2,3A	INFINEON
		BTS409L1E3062A		Микросхема High-Side переключ. 43В, 2,3A	INFINEON
		BTS409L1E3062A		Микросхема High-Side переключ. 43В, 2,3A
		STGB10NB37LZT4		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый			572.00
		STGB10NB37LZT4		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRONICS	192	547.60
		STGB10NB37LZT4		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	STMicroelectronics
		STGB10NB37LZT4		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRO
		STGB10NB37LZT4		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	STMICROELECTR
		VN5016AJTR-E		Интеллектуальный ключ	ST MICROELECTRONICS	152	320.29
		VN5016AJTR-E		Интеллектуальный ключ
		VN5016AJTR-E		Интеллектуальный ключ	STMicroelectronics
		VN5016AJTR-E		Интеллектуальный ключ	ST MICROELECTRO
		VN5016AJTR-E		Интеллектуальный ключ	4-7 НЕДЕЛЬ	301
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WINBOND	304	361.62
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WIN
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	Winbond Electronics
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	NO NAME
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс			141.80
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	4-7 НЕДЕЛЬ	1 257

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"