Версия для печати
Технические характеристики STGD18N40LZT4

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	420V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	1.7V @ 4.5V, 10A
Current - Collector (Ic) (Max)	25A
Power - Max	125W
Тип входа	Logic
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

STGD18N40LZT4 datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

IGBT - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BNC-CUJ				1 435	38.15
		BNC-CUJ			BM
		VN5016AJTR-E		Интеллектуальный ключ	ST MICROELECTRONICS	88	299.63
		VN5016AJTR-E		Интеллектуальный ключ
		VN5016AJTR-E		Интеллектуальный ключ	STMicroelectronics
		VN5016AJTR-E		Интеллектуальный ключ	ST MICROELECTRO
		VN5016AJTR-E		Интеллектуальный ключ	4-7 НЕДЕЛЬ	301
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WINBOND	184	340.96
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WIN
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	Winbond Electronics
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	NO NAME
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс			141.80
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	4-7 НЕДЕЛЬ	1 257
		WSL2010R1000FEA			Vishay/Dale
		WSL2010R1000FEA			VISHAY
		WSL2010R1000FEA					90.40
		ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 ЗЕЛ. 0.5М					36.08
		ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 ЗЕЛ. 0.5М			ПОЛЬША
		ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 ЗЕЛ. 0.5М			ГЕРМАНИЯ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"