STGD18N40LZT4
|
IGBT 400V 25A DPAK |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 420V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 4.5V, 10A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 25A |
| Power - Max | 125W |
| Тип входа | Logic |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 93S56W6 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| AT90S2313-4SC |
|
|
||||||
| AT90S2313-4SC | Atmel |
|
|
|||||
| AT90S2313-4SC |
|
|
||||||
| AT90S2313-4SC | 4-7 НЕДЕЛЬ | 619 |
|
|||||
 |
 |
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс | WINBOND | 208 | 299.63 | |
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс | WIN |
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс | Winbond Electronics |
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс |
|
|
||
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс | NO NAME |
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс |
|
141.80 | ||
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс | 4-7 НЕДЕЛЬ | 1 257 |
|
|
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 ЗЕЛ. 0.5М |
|
36.08 | ||||||
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 ЗЕЛ. 0.5М | ПОЛЬША |
|
|
|||||
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 ЗЕЛ. 0.5М | ГЕРМАНИЯ |
|
|
|||||
| ФЛЮС СПИРТО-КАНИФОЛЬНЫЙ 25МЛ |
|
113.36 |
