| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SC2383 |
|
Биполярный транзистор NPN 160V, 1A, 0.9W, 20MHz
|
|
|
11.88
|
|
|
|
2SC2383 |
|
Биполярный транзистор NPN 160V, 1A, 0.9W, 20MHz
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2SC2383 |
|
Биполярный транзистор NPN 160V, 1A, 0.9W, 20MHz
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2Д202В |
|
Выпрямительный диод 100В, 1мА, 5кГц
|
|
145
|
54.43
|
|
|
|
2Д202В |
|
Выпрямительный диод 100В, 1мА, 5кГц
|
СТАРТ
|
26
|
16.80
|
|
|
|
2Д202В |
|
Выпрямительный диод 100В, 1мА, 5кГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
2Д202В |
|
Выпрямительный диод 100В, 1мА, 5кГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
2Д202В |
|
Выпрямительный диод 100В, 1мА, 5кГц
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
2Д202В |
|
Выпрямительный диод 100В, 1мА, 5кГц
|
33
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C82V |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
К10-17Б-56 ПФ |
|
|
|
8
|
7.40
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
|
658
|
15.46
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
612
|
15.12
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
БРЯНСК
|
340
|
16.80
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
МИНСК
|
2 036
|
15.75
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
3
|
12.10
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
115
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
1872
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
420
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
558
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
6
|
|
|
|