| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SC2383 |
|
Биполярный транзистор NPN 160V, 1A, 0.9W, 20MHz
|
|
|
11.88
|
|
|
|
2SC2383 |
|
Биполярный транзистор NPN 160V, 1A, 0.9W, 20MHz
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2SC2383 |
|
Биполярный транзистор NPN 160V, 1A, 0.9W, 20MHz
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2Д202В |
|
Выпрямительный диод 100В, 1мА, 5кГц
|
|
252
|
30.24
|
|
|
|
2Д202В |
|
Выпрямительный диод 100В, 1мА, 5кГц
|
СТАРТ
|
|
|
|
|
|
2Д202В |
|
Выпрямительный диод 100В, 1мА, 5кГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
2Д202В |
|
Выпрямительный диод 100В, 1мА, 5кГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
2Д202В |
|
Выпрямительный диод 100В, 1мА, 5кГц
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
2Д202В |
|
Выпрямительный диод 100В, 1мА, 5кГц
|
33
|
|
|
|
|
|
|
TS-04-070 (=TS-A3PS-130, SWT-6, DTS-63) КНОПКА ТАКТ., 6.0Х6.0, H = 7.0 |
|
|
DONGNAN
|
|
|
|
|
|
|
К10-17Б-56 ПФ |
|
|
|
8
|
7.44
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
|
3 282
|
14.88
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
880
|
17.18
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
115
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
1872
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
420
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
558
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
6
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
4
|
|
|
|