BZX55C82V
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SC2383 |
|
Биполярный транзистор NPN 160V, 1A, 0.9W, 20MHz |
|
11.88 | ||
|
|
|
2SC2383 |
|
Биполярный транзистор NPN 160V, 1A, 0.9W, 20MHz | FAIR |
|
|
|
|
|
|
2SC2383 |
|
Биполярный транзистор NPN 160V, 1A, 0.9W, 20MHz | TOSHIBA |
|
|
|
| К10-17Б-56 ПФ | 8 | 7.40 | ||||||
| КР1014КТ1В | 677 | 18.50 | ||||||
| КР1014КТ1В | ГРАВИТОН |
|
|
|||||
 |
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | 1 196 | 13.62 | ||
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | КРЕМНИЙ | 799 | 13.23 | |
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | БРЯНСК | 1 940 | 16.80 | |
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | МИНСК | 846 | 15.75 | |
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | ВОРОНЕЖ |
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | ТРАНЗИСТОР | 1 | 4.11 |
