| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
К10-17Б-NPO-47ПФ 50 (5%) |
|
|
|
|
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
|
2 888
|
25.20
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
ДНЕПР
|
|
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
RUS
|
|
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
АЗОН
|
|
|
|
|
|
КВ109Г |
|
Варикапы кремниевые, эпитаксиально-планарные, подстроечные, для схем подстройки ...
|
|
88
|
22.68
|
|
|
|
КВ109Г |
|
Варикапы кремниевые, эпитаксиально-планарные, подстроечные, для схем подстройки ...
|
ДНЕПР
|
412
|
10.60
|
|
|
|
КВ109Г |
|
Варикапы кремниевые, эпитаксиально-планарные, подстроечные, для схем подстройки ...
|
125
|
|
|
|
|
|
КВ109Г |
|
Варикапы кремниевые, эпитаксиально-планарные, подстроечные, для схем подстройки ...
|
660
|
|
|
|
|
|
КР1533ИР8 |
|
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
КР1533ИР8 |
|
|
|
|
46.44
|
|
|
|
КР1533ИР8 |
|
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КР1533ИР8 |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КР1533ИР8 |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КР1533ИР8 |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
|
427
|
11.78
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
880
|
17.18
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
БРЯНСК
|
171
|
16.96
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
МИНСК
|
3 112
|
16.96
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
3
|
7.85
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
115
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
1872
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
420
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
558
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
6
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
4
|
|
|
|