К10-17Б-56 ПФ

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
К10-17Б-56 ПФ	8	7.44

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
К10-17Б ИМП. 0.47МКФ X7R,10%,1206		КИТАЙ
К10-17Б ИМП. 10ПФ NPO, 5%, 0805, RDE5C1H100J		MURATA
К10-17Б-NPO-43ПФ 50 (5%)
КР1533ИР8		ЗПП
КР1533ИР8				46.44
КР1533ИР8		ЗПП МИНСК
КР1533ИР8		МИНСК
КР1533ИР8		ИНТЕГРАЛ
КР1533ИР8		RUS
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный		3 282	14.88
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	КРЕМНИЙ	880	17.18
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	БРЯНСК
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	МИНСК
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ВОРОНЕЖ
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	115
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	1872
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	420
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	558
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	6
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	4