К10-17Б-56 ПФ

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
К10-17Б-56 ПФ	8	7.40

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ECAP (К50-35 МИНИ), 10 МКФ, 16 В, 105°, 4X5ММ		ТАЙВАНЬ
ICSS-30 (1.78MM)		AUK
ICSS-30 (1.78MM)				33.24
ICSS-30 (1.78MM)		ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
ICSS-30 (1.78MM)		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
R1001N12B1, 50 КОМ		SONG HUEI
КР1533ИР8		ЗПП
КР1533ИР8				46.44
КР1533ИР8		ЗПП МИНСК
КР1533ИР8		МИНСК
КР1533ИР8		ИНТЕГРАЛ
КР1533ИР8		RUS
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный		512	13.62
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	КРЕМНИЙ	612	16.40
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	БРЯНСК	172	16.96
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	МИНСК	3 272	16.96
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ВОРОНЕЖ
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ТРАНЗИСТОР	3	12.31
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	115
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	1872
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	420
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	558
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	6
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	4