|
|
Версия для печати
| Производитель | JAMICON CORPORATION |
| Количество в упаковке | 100 шт. |
| Вес | 4.586 г |
| Допуск емкости | ±20% |
| Номинальное напряжение | 350 В |
| Срок службы | 2000 Ч |
| Размер корпуса | ф 13x21 |
| Рабочая температура | -40...85 °C |
| Код производителя | SKR220M2VJ21 |
| General Purpose | |
| Емкость | 22 мкФ |
| Серия | SK |
| Корпус (размер) | Radial |
| Тип монтажа | Выводной |
| Тип | Электролитический алюминиевый |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 12062R473K9BB00 | PHILIPS |
|
|
|||||
| 12062R473K9BB00 | PHILIPS |
|
|
|||||
|
|
6Н16Б-В |
|
Двойной сверхминиатюрный триод повышенной надежности и механической прочности для ... | 4 | 157.25 | |||
|
|
6Н16Б-В |
|
Двойной сверхминиатюрный триод повышенной надежности и механической прочности для ... | МОСКВА |
|
|
||
|
|
6Н16Б-В |
|
Двойной сверхминиатюрный триод повышенной надежности и механической прочности для ... | ОРЕЛ | 4 | 315.00 | ||
| 6С51НВ |
|
|
||||||
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | SIEMENS |
|
|
|
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W |
|
130.36 | ||
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | Infineon Technologies |
|
|
|
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | ISC |
|
|
|
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | 1 |
|
|
|
| STW26NM60N | ST MICROELECTRONICS | 1 200 | 175.64 | |||||
| STW26NM60N | 1 040 | 111.38 | ||||||
| STW26NM60N | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| STW26NM60N | ST MICROELECTRO |
|
|