NAND512W3A2DN6E
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Формат памяти | FLASH |
| Тип памяти | FLASH - NAND |
| Объем памяти | 512M (64M x 8) |
| Интерфейс подключения | Parallel |
| Напряжение питания | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Корпус | 48-TSOP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LG250M0100BPF-2225 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 250 В | YAGEO |
|
|
|||
| LG250M0100BPF-2225 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 250 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| LG250M0100BPF-2225 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 250 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
 |
 |
RLB0914-331KL |
|
Индуктивность 330μH 0,6A 8,7x12mm | BOURNS |
|
|
|
|
|
|
RLB0914-331KL |
|
Индуктивность 330μH 0,6A 8,7x12mm |
|
65.60 | ||
 |
|
SDR1006-101KL |
|
Индуктивность 100мкГн SMD 9,8x5,8mm | BOURNS |
|
|
|
|
|
|
SDR1006-101KL |
|
Индуктивность 100мкГн SMD 9,8x5,8mm |
|
|
||
| SH250M0100B7F-1836 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 250 В | YAGEO |
|
|
|||
| SH250M0100B7F-1836 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 250 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| SH250M0100B7F-1836 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 250 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
| SH400M0100B7F-1836 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 400 В | YAGEO |
|
|
|||
| SH400M0100B7F-1836 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 400 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
