| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
3314G 5K |
|
|
|
|
|
|
|
|
3314G-1-104E |
|
Подстроечный резистор 100 кОм
|
BOURNS
|
64
|
69.31
|
|
|
|
3314G-1-104E |
|
Подстроечный резистор 100 кОм
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3314G-1-104E |
|
Подстроечный резистор 100 кОм
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3314G-1-104E |
|
Подстроечный резистор 100 кОм
|
|
|
|
|
|
|
3314G-1-104E |
|
Подстроечный резистор 100 кОм
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
|
36 960
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
37 604
|
1.44
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
NXP
|
36 964
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
34 805
|
1.03
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
708
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
YJ
|
323 799
|
1.80
>100 шт. 0.90
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
XSEMI
|
35 448
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
9 816
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
IRF7389 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF7389 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W
|
|
2
|
635.04
|
|
|
|
IRF7389 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
204
|
|
|
|
|
IRF7389 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
IRF7389 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF7389 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF7389 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W
|
EVVO
|
9 046
|
5.62
|
|
|
|
RLB0914-471KL |
|
Индуктивность 470μH 0,5A 8,7x12mm
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
RLB0914-471KL |
|
Индуктивность 470μH 0,5A 8,7x12mm
|
|
|
75.36
|
|
|
|
RLB0914-471KL |
|
Индуктивность 470μH 0,5A 8,7x12mm
|
ВОURNS
|
|
|
|