Версия для печати
Технические характеристики BCV26

Transistor Type	PNP - Darlington
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Collector (Ic) (Max)	1.2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 100µA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	20000 @ 100mA, 5V
Power - Max	350mW
Frequency - Transition	220MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23
Product Change Notification	Mold Compound Change 12/Dec/2007

BCV26 Pnp Silicon Planar Darlington Transistors Производитель: Zetex Semiconductors //www.zetex.com BCV26 datasheet 53.31Kb 1стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BY297		Импульсный диод 1.5А, 200 В	SMK
		BY297		Импульсный диод 1.5А, 200 В
		BY297		Импульсный диод 1.5А, 200 В
		BY297		Импульсный диод 1.5А, 200 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BY297		Импульсный диод 1.5А, 200 В	КИТАЙ
		LM358		Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель	ST MICROELECTRONICS
		LM358		Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель		23 680	2.42
		LM358		Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель	МИКРОН
		LM358		Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель		23 680	2.42
		LM358		Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель	HOTTECH	38 320	5.30
		LM358		Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель	JSMICRO	12 628	2.27
		LM358		Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель	4-7 НЕДЕЛЬ	754
		LTV817B		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA	LINEAR TECHNOLOGY
		LTV817B		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA	LITE-ON
		LTV817B		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA	LIT
		LTV817B		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA			26.28
		LTV817B		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA	КИТАЙ
		LTV817B		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA
		LTV817B		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA	4-7 НЕДЕЛЬ	348
		PDTC114EU,115			NXP Semiconductors
		PDTC114EU,115			NXP
		PDTC114EU,115			NEXPERIA
		PDTC114EU,115			NEX	17 425	3.56
		PDTC114EU,115
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт		623	28.34
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	КРЕМНИЙ	3 064	33.61
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	БРЯНСК	1 752	37.80
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	МИНСК
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	УЛЬЯНОВСК
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	RUS
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"