| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Triac Type | Standard |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Конфигурация | Single |
| Current - Hold (Ih) (Max) | 20mA |
| Voltage - Off State | 800V |
| Current - Gate Trigger (Igt) (Max) | 35mA |
| Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 65A, 71A |
| Current - On State (It (RMS)) (Max) | 8A |
| Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 1.5V |
| Корпус | D2PAK |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4933 (1A 50V) |
|
|
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
RFE INTERNATIONAL
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
38 585
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
RF ELECT/RFE INTERNATIONAL
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
RF ELECT./RFE INTERNATIONAL
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
LIJIE ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
YJ ELECTRONIC CORP
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
MIC
|
6 233
|
1.19
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
268
|
5.47
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
|
35 608
|
1.26
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
KINGTRONICS
|
18 044
|
2.12
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
YJ
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
LIJIE EL
|
1
|
1.46
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
1 436
|
3.20
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
MIG
|
3 200
|
2.12
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
2 058
|
1.60
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
415
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
|
100
|
15.12
|
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
ONS
|
69 668
|
3.06
|
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
ON SEMICONDUCTOR
|
5 858
|
|
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
479
|
2.12
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
|
|
6.00
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
6 564
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
FAIRCHILD
|
62
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
KLS
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
0.00
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
1
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
FUXIN
|
32 253
|
0.90
>500 шт. 0.30
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
649
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
1 499
|
22.08
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
4 923
|
38.16
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ЭКСИТОН
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
VBYCR
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
7021
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
9
|
|
|
|