| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
VS-10BQ040TR |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
R1620 500K (СП3-4АМ ВАЛ 20ММ) |
|
|
|
1 477
|
17.10
|
|
|
|
|
R1620 500K (СП3-4АМ ВАЛ 20ММ) |
|
|
|
1 477
|
17.10
|
|
|
|
|
Z0107MN 5AA4 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
Z0107MN 5AA4 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
Z0107MN 5AA4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
АЛС318А |
|
Девятиразрядный цифровой индикатор, 1,9 В, 0,95 мкд, 2,5 мм
|
|
|
161.20
|
|
|
|
|
АЛС318А |
|
Девятиразрядный цифровой индикатор, 1,9 В, 0,95 мкд, 2,5 мм
|
ОПТРОН
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
2 016
|
33.30
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
24.57
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
1 752
|
37.80
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
Версия для печати
