ES1D-E3/61T


Электронный компонент, SMA

Купить ES1D-E3/61T по цене 6.68 руб.  (без НДС 20%)
ES1D-E3/61T
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
ES1D-E3/61T (VISHAY) 6 116 6.68 
ES1D-E3/61T (GENERAL SEMICONDUCTOR.) 112 3-4 недели
Цена по запросу
ES1D-E3/61T (VISHAY.) 1 308 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики ES1D-E3/61T

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If920mV @ 1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200V
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr5µA @ 200V
Diode TypeStandard
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)25ns
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)DO-214AC, SMA
КорпусDO-214AC (SMA)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   LESHAN RADIO COMPANY Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ONS 40 512 3.12 
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)     3 614 2.24 
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   LESHAN RADIO COMPANY, LTD Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ON SEMICONDUCTOR 11 847 цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ON SEMICONDUCTO Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   LRC Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ONSEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   FUXIN 55 392 1.58 
>100 шт.   0.79 
    BLM31AJ601SH1L     MUR 3 976 5.78 
    BLM31AJ601SH1L       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BLM31AJ601SH1L     MURATA 2 176 9.95 
    ES3D-E3/57T     VISHAY 51 50.63 
    ES3D-E3/57T     GENERAL SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ES3D-E3/57T     GENERAL SEMICONDUCTOR 787 цена радиодетали
    ES3D-E3/57T     Vishay/General Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ES3D-E3/57T       Заказ радиодеталей цена радиодетали
HCPL4504-000E Фототранзистор 1канал, 1.7В, ток выхода 8мА   AVAGO Заказ радиодеталей цена радиодетали
HCPL4504-000E Фототранзистор 1канал, 1.7В, ток выхода 8мА   BRO/AVAG Заказ радиодеталей цена радиодетали
HCPL4504-000E Фототранзистор 1канал, 1.7В, ток выхода 8мА     2 325.08 
    VS-10ETF12-M3     VISHAY 1 900 137.25 
    VS-10ETF12-M3       Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход