ES1D-E3/61T
Электронный компонент, SMA
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 1A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 200V |
| Diode Type | Standard |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | DO-214AC, SMA |
| Корпус | DO-214AC (SMA) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2РМГД33Б32Ш5Е2Б |
|
213 | 2 066.40 | ||||
|
|
2РМГД33Б32Ш5Е2Б |
|
РОССИЯ |
|
|
|||
| DAC121S101CIMK/NOPB |
|
|
||||||
| DAC121S101CIMK/NOPB | NSC |
|
|
|||||
| DAC121S101CIMK/NOPB | National Semiconductor |
|
|
|||||
| DAC121S101CIMK/NOPB | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| DAC121S101CIMK/NOPB | TEXAS |
|
|
|||||
| ES3D-E3/57T | VISHAY | 51 | 30.64 | |||||
| ES3D-E3/57T | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| ES3D-E3/57T | GENERAL SEMICONDUCTOR | 787 |
|
|||||
| ES3D-E3/57T | Vishay/General Semiconductor |
|
|
|||||
| ES3D-E3/57T |
|
|
||||||
| L79L05ABZ-AP | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| L79L05ABZ-AP |
|
20.80 | ||||||
| L79L05ABZ-AP | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| L79L05ABZ-AP | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||||
| L79L05ABZ-AP | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||||
| L79L05ABZ-AP | 4-7 НЕДЕЛЬ | 68 |
|
|||||
| К78-2, 0.056 МКФ, 1600 В, 10% | ПОЛИКОНД |
|
|
|||||
| К78-2, 0.056 МКФ, 1600 В, 10% |
|
|
