| Корпус (размер) | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип осцилятора | Internal |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Преобразователи данных | A/D 8x10b |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 2 V ~ 5.5 V |
| Размер памяти | 128 x 8 |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| Размер программируемой памяти | 3.5KB (2K x 14) |
| Число вводов/выводов | 11 |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
| Скорость | 20MHz |
| Размер ядра | 8-Bit |
| Процессор | PIC |
| Серия | PIC® 16F |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
1N5339B |
|
Стабилитрон 5Вт 5.6В SOD27
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N5339B |
|
Стабилитрон 5Вт 5.6В SOD27
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N5339B |
|
Стабилитрон 5Вт 5.6В SOD27
|
EIC
|
9 564
|
10.28
|
|
|
|
|
1N5339B |
|
Стабилитрон 5Вт 5.6В SOD27
|
|
|
31.24
|
|
|
|
|
1N5339B |
|
Стабилитрон 5Вт 5.6В SOD27
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
1N5339B |
|
Стабилитрон 5Вт 5.6В SOD27
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N5339B |
|
Стабилитрон 5Вт 5.6В SOD27
|
Microsemi Commercial Components Group
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
SGS
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
|
186
|
101.75
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
1
|
|
|
|
|
|
PIC16F887-I/P |
|
8KX14 FLASH, 36I/O, 20MHZ, DIP40
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC16F887-I/P |
|
8KX14 FLASH, 36I/O, 20MHZ, DIP40
|
|
|
592.80
|
|
|
|
PIC16F887-I/P |
|
8KX14 FLASH, 36I/O, 20MHZ, DIP40
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC16F887-I/P |
|
8KX14 FLASH, 36I/O, 20MHZ, DIP40
|
MICRO CHIP
|
4
|
|
|
|
|
PIC16F887-I/P |
|
8KX14 FLASH, 36I/O, 20MHZ, DIP40
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
550
|
|
|
|
|
|
PV37W-1К |
|
Резистор подстроечный
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
PV37W-1К |
|
Резистор подстроечный
|
|
|
108.88
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
DC COMPONENTS
|
121 404
|
2.48
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
JIFU SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
MCC
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
YJ
|
173 831
|
1.09
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
|
40 374
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
MIC
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
ONS
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
HOTTECH
|
56 857
|
1.15
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
YANGJIE
|
16 000
|
1.32
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
JSCJ
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
1
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
MDD
|
18 197
|
1.50
>100 шт. 0.75
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
TRR
|
295 040
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
MERRYELC
|
2 004
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|