Версия для печати
Технические характеристики 2N6517

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	350V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	20 @ 50mA, 10V
Power - Max	625mW
Frequency - Transition	200MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус	TO-92-3

2N6517 Npn Silicon Planar Medium Power Transistor Производитель: Zetex Semiconductors //www.zetex.com 2N6517 datasheet 30.91Kb 1стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КТ504А		никель	КРЕМНИЙ	84	362.88
		КТ504А		никель		24	94.38
		КТ504А		никель	БРЯНСК	144	609.00
		КТ504А		никель	RUS

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	ST MICROELECTRONICS
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	VISHAY
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	SGS
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	MOTOROLA
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	SAMSUNG
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)		186	101.75
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	MOTOROLA
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	SAMSUNG
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	SGS THOMSON
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	Vishay/Siliconix
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	STMicroelectronics
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	КИТАЙ
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	1
		К1182ПМ1Р		Фазовый регулятор для плавного вкл./выкл. ламп накаливания, регулировки яркости, ...	НТЦ СИТ
		К1182ПМ1Р		Фазовый регулятор для плавного вкл./выкл. ламп накаливания, регулировки яркости, ...		225	286.75
		К1182ПМ1Р		Фазовый регулятор для плавного вкл./выкл. ламп накаливания, регулировки яркости, ...	СИТ
		К1182ПМ1Р		Фазовый регулятор для плавного вкл./выкл. ламп накаливания, регулировки яркости, ...	НТЦ
		К1182ПМ1Р		Фазовый регулятор для плавного вкл./выкл. ламп накаливания, регулировки яркости, ...	БРЯНСК	1 620	220.50
		К1182ПМ1Р		Фазовый регулятор для плавного вкл./выкл. ламп накаливания, регулировки яркости, ...	КРЕМНИЙ	238	197.11
		К1182ПМ1Р1			СИТ
		К1182ПМ1Р1
		К1182ПМ1Р1			НТЦ СИТ
		К1182ПМ1Р1			БРЯНСК	296	157.50
		К1182ПМ1Р1			КРЕМНИЙ	80	109.62
		КТ9115А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		103	52.92
		КТ9115А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	532	26.46
		КТ9115А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	5 908	33.60

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"