| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4007 |
|
|
DC COMPONENTS
|
91 596
|
1.61
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MIC
|
357 568
|
1.47
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIOTEC
|
71 820
|
2.81
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JGD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MING SHUN
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
QUAN-HONG
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
XR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
COMPACT TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIRCHILD
|
288
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
1
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MASTER INSTRUMENT CORPORATION
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PANJIT
|
307 692
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE SEMICONDUCT
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YJ
|
351 402
|
1.26
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MIG
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YJ ELE-NIC CORP
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
EXTRA COM-NTS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY ELECTRICAL
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GEMBIRD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
EXTRA
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
КИТАЙ
|
800
|
4.54
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
|
43 140
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ELZET
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LGE
|
2 123
|
1.03
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
HOTTECH
|
121 536
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KLS
|
40 800
|
2.07
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YS
|
2 311
|
1.36
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE
|
79 920
|
1.46
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KUU
|
16
|
0.99
>500 шт. 0.33
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SUNRISETRON
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
BILIN
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KEHE
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
BL
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SUNTAN
|
54 981
|
1.21
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
TWGMC
|
49 156
|
1.05
>500 шт. 0.35
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
CTK
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JUXING
|
85
|
1.69
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ASEMI
|
1
|
1.06
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KEEN SIDE
|
178
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
UTC
|
|
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
|
29 280
|
1.63
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
ИНТЕГРАЛ
|
266
|
11.34
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
ПЛАНЕТА
|
|
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
WINGSHING
|
|
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
-
|
|
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
ANK
|
|
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
WS
|
|
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
HOTTECH
|
13 562
|
3.89
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
CJ
|
|
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
YOUTAI
|
108 426
|
1.95
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
KEXIN
|
3 071
|
8.52
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
ZH
|
21 980
|
4.18
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
LGE
|
|
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
UMW
|
|
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
383
|
|
|
|
|
|
L78L33ABZ-AP |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
3
|
36.30
|
|
|
|
|
L78L33ABZ-AP |
|
|
|
|
92.00
|
|
|
|
|
L78L33ABZ-AP |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
L78L33ABZ-AP |
|
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
L78L33ABZ-AP |
|
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
L78L33ABZ-AP |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
1 103
|
|
|
|
|
|
L78L33ABZ-AP |
|
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
L78L33ABZ-AP |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
723
|
|
|
|
|
К155ИД1 |
|
Высоковольтный 4-разрядный дешифратор
|
|
|
34.00
|
|
|
|
К155ИД1 |
|
Высоковольтный 4-разрядный дешифратор
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
К155ИД1 |
|
Высоковольтный 4-разрядный дешифратор
|
RUS
|
|
|
|
|
|
К155ИД1 |
|
Высоковольтный 4-разрядный дешифратор
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
К155ИД1 |
|
Высоковольтный 4-разрядный дешифратор
|
-----
|
320
|
289.30
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
|
476
|
12.88
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
612
|
13.23
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
БРЯНСК
|
340
|
16.80
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
МИНСК
|
2 116
|
15.75
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
3
|
12.10
|
|