Si7617DN

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
Si7617DN (VISHAY)	1	90.52

Версия для печати

Технические характеристики Si7617DN

Gate Charge (Qg) @ Vgs	59nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	35A
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.3 mOhm @ 13.9A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1800pF @ 15V
Power - Max	52W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	PowerPAK® 1212-8
Корпус	PowerPAK® 1212-8

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
A4989SLDTR-T		Allegro Microsystems Inc
A4989SLDTR-T		ALLEGRO
A4989SLDTR-T
A4989SLDTR-T		4-7 НЕДЕЛЬ	462
AD8426ACPZ-WP
AD8426ACPZ-WP		ANALOG DEVICES
AD8426ACPZ-WP		4-7 НЕДЕЛЬ	285
BAT54HT1G		FAIR
BAT54HT1G		ON SEMICONDUCTOR
BAT54HT1G		FAIRCHILD
BAT54HT1G		FAIRCHILD
BAT54HT1G		ON SEMICONDUCTOR	3 238
BAT54HT1G		Fairchild Semiconductor
BAT54HT1G
BAT54HT1G		ONS
BAT54HT1G		ONS-FAIR
BAT54HT1G		FUXIN	19 180	1.56
BQ24617RGER		TEXAS INSTRUMENTS
BQ24617RGER		TEXAS INSTRUMENTS
BQ24617RGER
BQ24617RGER		4-7 НЕДЕЛЬ	544
BZV55-C3V9	Стабилитрон PV=0.5W, Vz=3V9, Izt=5mA tol=5%	NXP
BZV55-C3V9	Стабилитрон PV=0.5W, Vz=3V9, Izt=5mA tol=5%	DC COMPONENTS	221 887	1.92 >100 шт. 0.96
BZV55-C3V9	Стабилитрон PV=0.5W, Vz=3V9, Izt=5mA tol=5%	PHILIPS
BZV55-C3V9	Стабилитрон PV=0.5W, Vz=3V9, Izt=5mA tol=5%	NXP
BZV55-C3V9	Стабилитрон PV=0.5W, Vz=3V9, Izt=5mA tol=5%	PHILIPS	592
BZV55-C3V9	Стабилитрон PV=0.5W, Vz=3V9, Izt=5mA tol=5%
BZV55-C3V9	Стабилитрон PV=0.5W, Vz=3V9, Izt=5mA tol=5%	EIC
BZV55-C3V9	Стабилитрон PV=0.5W, Vz=3V9, Izt=5mA tol=5%	KEEN SIDE	6 808	1.44 >500 шт. 0.48
BZV55-C3V9	Стабилитрон PV=0.5W, Vz=3V9, Izt=5mA tol=5%	MERRYELC