Si7617DN
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 59nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 35A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.3 mOhm @ 13.9A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1800pF @ 15V |
| Power - Max | 52W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® 1212-8 |
| Корпус | PowerPAK® 1212-8 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BU2032-1-HD-G |
|
MPD (Memory Protection Devices) |
|
|
||
|
|
|
BU2032-1-HD-G |
|
MEMORY PROTECTION DEVICES |
|
|
||
|
|
|
BU2032-1-HD-G |
|
|
|
|||
| KX-8 16.0 MHZ | GEYER ELECTRONIC |
|
|
|||||
| KX-8 16.0 MHZ | GEYER |
|
|
|||||
| KX-8 16.0 MHZ |
|
185.00 | ||||||
| MMBT3904WT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MMBT3904WT1G | ON SEMICONDUCTOR | 19 970 |
|
|||||
| MMBT3904WT1G | ONS | 1 872 | 8.49 | |||||
| MMBT3904WT1G |
|
|
||||||
| NTR4003NT1G | ONS | 11 748 | 9.73 | |||||
| NTR4003NT1G | ON Semiconductor |
|
|
|||||
| NTR4003NT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NTR4003NT1G |
|
|
