NTR4003NT1G
|
|
Версия для печати
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 500mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 10mA, 4V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 1.15nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 21pF @ 5V |
| Power - Max | 690mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BU2032-1-HD-G |
|
MPD (Memory Protection Devices) |
|
|
||
|
|
|
BU2032-1-HD-G |
|
MEMORY PROTECTION DEVICES |
|
|
||
|
|
|
BU2032-1-HD-G |
|
|
|
|||
| KX-8 16.0 MHZ | GEYER ELECTRONIC |
|
|
|||||
| KX-8 16.0 MHZ | GEYER |
|
|
|||||
| KX-8 16.0 MHZ |
|
185.00 | ||||||
| MMBT3904WT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MMBT3904WT1G | ON SEMICONDUCTOR | 19 970 |
|
|||||
| MMBT3904WT1G | ONS | 1 872 | 8.42 | |||||
| MMBT3904WT1G |
|
|
||||||
| Si7617DN | VISHAY |
|
|
|||||
| SIS478DN-T1-GE3 |
|
|
