IRLH5030TR2PBF
|
Версия для печати
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5185pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 94nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 150µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 13A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 50A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Power - Max | 3.6W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-VQFN |
| Корпус | PQFN (5x6) Single Die |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CRCW0402100RFKED | VISHAY |
|
|
|||||
| CRCW0402100RFKED | VISHAY | 20 000 |
|
|||||
| CRCW0402100RFKED | Vishay/Dale |
|
|
|||||
| CRCW0402100RFKED |
|
|
||||||
| CRCW0603100RFKEA | VISHAY |
|
|
|||||
| CRCW0603100RFKEA | VISHAY | 5 925 |
|
|||||
| CRCW0603100RFKEA | Vishay/Dale |
|
|
|||||
| CRCW0603100RFKEA |
|
|
||||||
| CRCW0603100RFKEA | VIS |
|
|
|||||
| ECAP 560/400V 3545 105C HE |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 560 мкФ 400 В | SAMWHA |
|
|
|||
| SH025M0033B2F-0511 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 33 мкФ 25 В | YAGEO |
|
|
|||
| SH025M0033B2F-0511 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 33 мкФ 25 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| SH025M0033B2F-0511 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 33 мкФ 25 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
| SH025M0033B2F-0511 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 33 мкФ 25 В |
|
|
||||
| SH050M0033BZF-0611 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 33 мкФ 50 В | YAGEO |
|
|
|||
| SH050M0033BZF-0611 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 33 мкФ 50 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| SH050M0033BZF-0611 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 33 мкФ 50 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
