IRFU9020
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 5.7A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 490pF @ 25V |
| Power - Max | 42W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| Корпус | TO-251 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZG05C12 |
|
|
||||||
| LM239AD |
|
Микросхема 4хкомпаратор SO14 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||
| LM239AD |
|
Микросхема 4хкомпаратор SO14 | ST MICROELECTRONICS SEMI | 74 |
|
|||
| LM239AD |
|
Микросхема 4хкомпаратор SO14 | Texas Instruments |
|
|
|||
| LM239AD |
|
Микросхема 4хкомпаратор SO14 | STMicroelectronics |
|
|
|||
| LM239AD |
|
Микросхема 4хкомпаратор SO14 | TEXAS |
|
|
|||
| LM239AD |
|
Микросхема 4хкомпаратор SO14 | 20 |
|
||||
| LM239AD |
|
Микросхема 4хкомпаратор SO14 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 753 |
|
|||
| MMSZ11T1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MMSZ11T1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MMSZ11T1G | ONS | 1 427 | 8.13 | |||||
| MMSZ11T1G |
|
|
||||||
 |
 |
PC0802-A |
|
Алфавитно-цифровой жк модуль | POWERTIP |
|
|
|
 |
|
TLP521-1 |
|
dip4 | TOSIBA |
|
|
|
|
|
|
TLP521-1 |
|
dip4 | TOSHIBA |
|
|
|
|
|
|
TLP521-1 |
|
dip4 |
|
47.60 | ||
|
|
|
TLP521-1 |
|
dip4 | ISOCOM |
|
|
|
|
|
|
TLP521-1 |
|
dip4 | FAORCHILD |
|
|
