IRF9Z24S
|
Версия для печати
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 6.6A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 11A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 570pF @ 25V |
| Power - Max | 3.7W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N6039 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| 2N6039 |
|
|
||||||
| 2N6039 | ON SEMICONDUCTOR | 692 |
|
|||||
| 2N6039 | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| 2N6039 | ST MICROELECTRO |
|
|
|||||
| 2N6039 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| 2N6039 | ISCSEMI |
|
|
|||||
| 2N6039 | КИТАЙ |
|
|
|||||
| BCP69-16/T1 |
|
Транзистор биполярный SMD |
|
15.20 | ||||
| BCP69-16/T1 |
|
Транзистор биполярный SMD | NXP |
|
|
|||
 |
 |
BT169D.112 |
|
Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA | NXP |
|
|
|
|
|
|
BT169D.112 |
|
Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA | WEEN/NXP | 14 748 | 4.65 | |
|
|
|
BT169D.112 |
|
Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA | WEEN / NXP |
|
|
|
|
|
|
BT169D.112 |
|
Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA | WEEN |
|
|
|
|
|
|
BT169D.112 |
|
Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA |
|
|
||
|
|
|
BT169D.112 |
|
Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA | NEX-NXP | 688 | 16.53 | |
| KM681000BLG-5L | SEC |
|
|
|||||
| KM681000BLG-5L | SAMSUNG |
|
|
|||||
| KM681000BLG-5L |
|
|
||||||
| KM681000BLG-5L | 4-7 НЕДЕЛЬ | 77 |
|
|||||
| MJD122T4G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MJD122T4G | ONS |
|
|
|||||
| MJD122T4G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MJD122T4G |
|
|
