IRLR7807ZPBF

Версия для печати

Технические характеристики IRLR7807ZPBF

Power - Max	40W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	780pF @ 15V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.25V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	43A
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.8 mOhm @ 15A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
B82477G4224M		EPCOS
B82477G4224M
B82477G4224M		TDK
B82477G4224M		TDK-EPC
B82477G4224M		TDK EPCOS
ECASD40J107M015K00		Murata Electronics North America
ECASD40J107M015K00		MUR	6 672	30.15
ECASD40J107M015K00
ECASD40J107M015K00		MURATA	8	47.53
PBSS4350T,215		NXP Semiconductors
PBSS4350T,215		NEX
PBSS4350T,215
PBSS5350T.215		NXP
PBSS5350T.215		NEX-NXP	2 909	14.81
PBSS5350T.215
PBSS5350T.215		JSMICRO	52 374	2.40
SFH6156-3T	Оптопара (Транзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200% tвкл/выкл=3/2,3 мкс	VISHAY	12 380	26.86
SFH6156-3T	Оптопара (Транзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200% tвкл/выкл=3/2,3 мкс		884	18.66
SFH6156-3T	Оптопара (Транзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200% tвкл/выкл=3/2,3 мкс	Vishay/Semiconductors
SFH6156-3T	Оптопара (Транзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200% tвкл/выкл=3/2,3 мкс	VISHAY
SFH6156-3T	Оптопара (Транзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200% tвкл/выкл=3/2,3 мкс	KLS