|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 9.9nC @ 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 16A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 9.6A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 380pF @ 25V |
| Power - Max | 35W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 10BQ030TRPBF |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=30 В, Ifav=1A | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||
| 10BQ030TRPBF |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=30 В, Ifav=1A | VISHAY |
|
|
|||
| 10BQ030TRPBF |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=30 В, Ifav=1A | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||
| 10BQ030TRPBF |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=30 В, Ifav=1A | Vishay/Semiconductors |
|
|
|||
| 10BQ030TRPBF |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=30 В, Ifav=1A | VISHAY |
|
|
|||
| BZX84-C36 | PHILIPS |
|
|
|||||
| BZX84-C36 | NXP |
|
|
|||||
| BZX84-C36 | NXP |
|
|
|||||
| BZX84-C36 | PHILIPS |
|
|
|||||
| BZX84-C36 | KEEN SIDE | 18 176 |
1.50 >100 шт. 0.75 |
|||||
| IR3310 -5-T | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IR3310 -5-T |
|
|
||||||
| IRFL024NTR PBF | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRFL024NTR PBF |
|
|
||||||
| NCP3066DR2G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NCP3066DR2G |
|
109.20 | ||||||
| NCP3066DR2G | ONS |
|
|
|||||
| NCP3066DR2G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||||
| NCP3066DR2G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 228 |
|