10BQ030TRPBF
SMD диод Шоттки Vrrm=30 В, Ifav=1A
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 420mV @ 1A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500µA @ 30V |
| Diode Type | Schottky |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | DO-214AA, SMB |
| Корпус | DO-214AA (SMB) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
4610X-101-103LF |
|
9х 10кОм, резисторная сборка | BOURNS | 8 | 35.28 | ||
|
|
4610X-101-103LF |
|
9х 10кОм, резисторная сборка |
|
82.80 | |||
|
|
4610X-101-103LF |
|
9х 10кОм, резисторная сборка | BOURNS | 48 |
|
||
|
|
4610X-101-103LF |
|
9х 10кОм, резисторная сборка | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
4610X-101-103LF |
|
9х 10кОм, резисторная сборка | ВОURNS |
|
|
||
| BZX84-C36 | PHILIPS |
|
|
|||||
| BZX84-C36 | NXP |
|
|
|||||
| BZX84-C36 | NXP |
|
|
|||||
| BZX84-C36 | PHILIPS |
|
|
|||||
| BZX84-C36 | KEEN SIDE | 18 496 |
1.12 >100 шт. 0.56 |
|||||
| NCP3066DR2G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NCP3066DR2G |
|
109.20 | ||||||
| NCP3066DR2G | ONS |
|
|
|||||
| NCP3066DR2G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||||
| NCP3066DR2G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 228 |
|
|||||
| RC0805JR-075R1 | YAGEO |
|
|
|||||
 |
STPS30H100CW |
|
Полупроводниковый компонент | ST MICROELECTRONICS |
|
|
||
|
|
STPS30H100CW |
|
Полупроводниковый компонент |
|
|
|||
|
|
STPS30H100CW |
|
Полупроводниковый компонент | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
||
|
|
STPS30H100CW |
|
Полупроводниковый компонент | STMicroelectronics |
|
|
||
|
|
STPS30H100CW |
|
Полупроводниковый компонент | МАРОККО |
|
|
||
|
|
STPS30H100CW |
|
Полупроводниковый компонент | STMICROELECTR |
|
|
