|
|
Версия для печати
| Производитель | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| Температурный коэфициент | U2J |
| Допуск емкости | ±5% |
| Номинальное постоянное напряжение | 1 кВ |
| Тип диэлектрика | U2J |
| Номинальное напряжение | 1 кВ |
| Рабочая температура | -55...125 °C |
| Tin Plated Layer | |
| Размер | 3.2x1.6x1.2 |
| Емкость | 470 пФ |
| Серия | GRM |
| Корпус (размер) | 1206 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип | Керамический |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Допустимые отклонения емкости | ±5% |
| Tolerance | ±5% |
| Рабочая температура | -55°C ~ 125°C |
| Сфера применения | General Purpose |
| Size / Dimension | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| Thickness | 0.049" (1.25mm) |
| Возможности | High Voltage |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C1206-1800 PF-10% |
|
|
||||||
| C1206-390 ПФ 10% |
|
|
||||||
| DG306-5.0-02P-12 |
|
|
||||||
| DG306-5.0-02P-12 | DEGSON ELECTRONICS | 160 | 10.50 | |||||
| LD1117S50CTR | ST MICROELECTRONICS | 6 079 | 10.60 | |||||
| LD1117S50CTR | 1 270 | 10.80 | ||||||
| LD1117S50CTR | ST MICROELECTRONICS SEMI | 81 |
|
|||||
| LD1117S50CTR | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| LD1117S50CTR | ST MICROELECTRO |
|
|
|||||
| LD1117S50CTR | TEXAS INSTRUMENTS | 8 | 12.28 | |||||
| LD1117S50CTR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 725 |
|
|||||
| ZTT-10MHZ | SJK |
|
|
|||||
| ZTT-10MHZ |
|
|
||||||
| ZTT-10MHZ | SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD |
|
|