|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
120
|
1.26
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
14 860
|
2.08
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON
|
379
|
1.69
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
136
|
1.88
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
|
|
6.32
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
888
|
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
2 191
|
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
65 134
|
2.03
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
YJ
|
401 469
|
1.31
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
JSCJ
|
18 286
|
1.37
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
SLKOR
|
|
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
XSEMI
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
|
45 272
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
18 844
|
2.10
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
1 608
|
2.10
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DIOTEC
|
16 236
|
2.98
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
656
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
MCC
|
21 596
|
1.96
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DC COMPONENTS
|
22 421
|
2.21
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
HOTTECH
|
220 552
|
1.31
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SEMTECH
|
916
|
1.36
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
LRC
|
2 080
|
2.07
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PANJIT
|
13
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YJ
|
93 653
|
1.14
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SUNTAN
|
155 266
|
1.90
>100 шт. 0.95
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
1
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
XSEMI
|
64 320
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
|
|
13.60
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
INFINEON
|
54
|
|
|
|
|
CD4025BM96 |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
CD4025BM96 |
|
|
|
|
23.20
|
|
|
|
CD4025BM96 |
|
|
TEXAS
|
2 216
|
37.32
|
|
|
|
CD4025BM96 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
125
|
|
|
|
|
TS3702IDT |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
3 301
|
43.12
|
|
|
|
TS3702IDT |
|
|
|
|
72.88
|
|
|
|
TS3702IDT |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TS3702IDT |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
TS3702IDT |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
545
|
|
|