|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ATMEGA8-16PU |
|
8- бит ный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16PU |
|
8- бит ный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
|
|
496.00
|
|
|
|
ATMEGA8-16PU |
|
8- бит ный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16PU |
|
8- бит ный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
ATMEL CORPORATION
|
172
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16PU |
|
8- бит ный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
ATMEL1
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16PU |
|
8- бит ный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
MICRO CHIP
|
805
|
430.37
|
|
|
|
ATMEGA8-16PU |
|
8- бит ный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
1
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16PU |
|
8- бит ный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
405
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
DC COMPONENTS
|
51 828
|
3.90
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
MCC
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
|
9
|
15.12
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
WTE
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
MIC
|
17 127
|
2.35
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
GALAXY ME
|
599
|
4.21
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
YJ
|
176
|
11.37
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
KLS
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
YANGJIE
|
12 400
|
2.87
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
MIG
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
OLITECH
|
1 616
|
2.46
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
1
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
MDD
|
528
|
2.46
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
RUME
|
10 800
|
1.68
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
|
1 340
|
39.39
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
1
|
|
|
|
|
|
MCP601-I/P |
|
Операционный усилитель микромощный 2.8МГц, 2.3В/мкс
|
MICRO CHIP
|
337
|
101.93
|
|
|
|
MCP601-I/P |
|
Операционный усилитель микромощный 2.8МГц, 2.3В/мкс
|
|
|
94.96
|
|
|
|
MCP601-I/P |
|
Операционный усилитель микромощный 2.8МГц, 2.3В/мкс
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
MCP601-I/P |
|
Операционный усилитель микромощный 2.8МГц, 2.3В/мкс
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
MCP601-I/P |
|
Операционный усилитель микромощный 2.8МГц, 2.3В/мкс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
381
|
|
|
|
|
NE5534P |
|
Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE5534P |
|
Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE5534P |
|
Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц
|
|
|
44.88
|
|
|
|
NE5534P |
|
Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE5534P |
|
Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц
|
TEXAS
|
223
|
56.41
|
|
|
|
NE5534P |
|
Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
NE5534P |
|
Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц
|
1
|
|
|
|
|
|
NE5534P |
|
Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
781
|
|
|