| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
800
|
75.60
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
|
|
63.60
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
DMS
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
24
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
MINOS
|
291
|
26.23
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
EVVO
|
7 625
|
15.96
|
|
|
|
|
M93C66-WMN6TP |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
5 134
|
18.44
|
|
|
|
|
M93C66-WMN6TP |
|
|
|
|
30.00
|
|
|
|
|
M93C66-WMN6TP |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
360
|
|
|
|
|
|
M93C66-WMN6TP |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
M93C66-WMN6TP |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
M93C66-WMN6TP |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
276
|
|
|
|
|
|
M93C86-WMN6TP |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 823
|
12.98
|
|
|
|
|
M93C86-WMN6TP |
|
|
|
|
50.80
|
|
|
|
|
M93C86-WMN6TP |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
M93C86-WMN6TP |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
M93C86-WMN6TP |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
726
|
|
|
|
|
|
M93S56-WMN6P |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M93S56-WMN6P |
|
|
|
|
92.80
|
|
|
|
|
M93S56-WMN6P |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
M93S56-WMN6P |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
M93S56-WMN6P |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
M93S56-WMN6P |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
646
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
|
4
|
340.00
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
Версия для печати
