Версия для печати
Технические характеристики IRF7350

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	N and P-Channel
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	210 mOhm @ 2.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.1A, 1.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	28nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	380pF @ 25V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

IRF7350 (Дискретные сигналы) Power Mosfet Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRF7350 datasheet 238.65Kb 16стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		10BQ060		Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)	VISHAY
		10BQ060		Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)	EIC
		10BQ060		Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		10BQ060		Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)		19 200	1.13
		10BQ060		Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)	Vishay/Semiconductors
		10BQ060		Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)	IR/VISHAY
		10BQ060		Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)	HOTTECH	21 924	7.23
		10BQ060		Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)	1
		10BQ060		Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)	SMCMICRO	9 180	6.31
		10BQ060		Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)	KEENSIDE
		10BQ060		Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)	LGE	2 336	5.47
		10BQ060		Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)	KEEN SIDE
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный		38 929	63.00
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ОРБИТА	48	77.60
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ИНТЕГРАЛ
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	БРЕСТ	799	55.80
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ЦВЕТОТРОН	350	112.52
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	МИНСК
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	САРАНСК	54	55.80
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	RUS
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	РОССИЯ
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	1527
		564ЛП2				76	399.90
		564ЛП2			ИВАНОВО-ФРАНКОВСК
		564ЛП2			МИКРОН	24	297.60
		564ЛП2			ВОСХОД	156	543.20
		564ЛП2			ЭКСИТОН
		564ЛП2			КАЛУГА
		564ЛП2			ПАВЛОВ ПАСАД
		564ЛП2			ПАВЛОВ ПОСАД
		564ЛП2			АЗОН
		564ЛП2			АНГСТРЕМ
		564ЛП2			ФОРМ МОСКВА
		564ЛП2			РОДОН
		564ЛП2			1
		IRFR5410		Транзистор полевой	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFR5410		Транзистор полевой			65.64
		IRFR5410		Транзистор полевой	МЕКСИКА
		IRFR5410		Транзистор полевой	INFINEON
		IRFR5410		Транзистор полевой	TECH PUB	1 350	53.47
		OP184FS		Прецизионный усилитель прецизионный, 4МГц, Uш.=3.9нВ/Гц, -40°C - +125°C	TEXAS INSTRUMENTS
		OP184FS		Прецизионный усилитель прецизионный, 4МГц, Uш.=3.9нВ/Гц, -40°C - +125°C	ANALOG DEVICES
		OP184FS		Прецизионный усилитель прецизионный, 4МГц, Uш.=3.9нВ/Гц, -40°C - +125°C			311.56
		OP184FS		Прецизионный усилитель прецизионный, 4МГц, Uш.=3.9нВ/Гц, -40°C - +125°C	ANALOG DEVICES
		OP184FS		Прецизионный усилитель прецизионный, 4МГц, Uш.=3.9нВ/Гц, -40°C - +125°C	Analog Devices Inc
		OP184FS		Прецизионный усилитель прецизионный, 4МГц, Uш.=3.9нВ/Гц, -40°C - +125°C	4-7 НЕДЕЛЬ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"