К73-9-4700ПФ 630В (5%)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
10CTQ150PBF	Диод Шоттки 150V 10A(2x5)	VISHAY
10CTQ150PBF	Диод Шоттки 150V 10A(2x5)	Vishay/Semiconductors
10CTQ150PBF	Диод Шоттки 150V 10A(2x5)	VISHAY/IR
10CTQ150PBF	Диод Шоттки 150V 10A(2x5)	WUXI XUYANG
10CTQ150PBF	Диод Шоттки 150V 10A(2x5)		42	111.60
К73-9-3300ПФ 630В (5%)
КД2999А	Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс		12	109.44
КД2999А	Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс	ФОТОН
КД2999А	Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс	СЗТП	4	351.36
КД2999А	Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	КРЕМНИЙ	208	1 171.20
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А		36	595.20
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	БРЯНСК	124	1 292.70
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	СИТ
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	RUS
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	1
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	104
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	24
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	88
КТ825ГМ				96.00
КТ825ГМ		БРЯНСК