Версия для печати
Технические характеристики КС162А2

Мощность рассеяния,Вт	0.15
Минимальное напряжение стабилизации,В	5.8
Номинальное напряжение стабилизации,В	6.2
Максимальное напряжение стабилизации,В	6.6
Статическое сопротивление Rст.,Ом	45
при токе I ст,мА	10
Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С	0.01
Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В	1.5
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА	3
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА	22
Рабочая температура,С	-60...125
Способ монтажа	в отверстие
Корпус	kd 2
Производитель	Россия

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

СТАБИЛИТРОНЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		10CTQ150PBF		Диод Шоттки 150V 10A(2x5)	VISHAY
		10CTQ150PBF		Диод Шоттки 150V 10A(2x5)	Vishay/Semiconductors
		10CTQ150PBF		Диод Шоттки 150V 10A(2x5)	VISHAY/IR
		10CTQ150PBF		Диод Шоттки 150V 10A(2x5)	WUXI XUYANG
		10CTQ150PBF		Диод Шоттки 150V 10A(2x5)		42	111.00
		1206-10M 5%		ЧИП — резистор		200	0.96  >500 шт.   0.32
		1206-240K 5%		ЧИП — резистор 240кОм, 5%, 0.25Вт		32	1.60  >100 шт.   0.80
		КТ819ГМ		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	КРЕМНИЙ	40	204.12
		КТ819ГМ		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN		238	253.92
		КТ819ГМ		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	БРЯНСК	288	273.00
		КТ819ГМ		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	ЭЛЕКТРОПРИБОР
		КТ819ГМ		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	ФРЯЗИНО
		КТ819ГМ		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	RUS
		КТ825ГМ					96.00
		КТ825ГМ			БРЯНСК

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"