| Мощность рассеяния,Вт | 0.15 |
| Минимальное напряжение стабилизации,В | 5.8 |
| Номинальное напряжение стабилизации,В | 6.2 |
| Максимальное напряжение стабилизации,В | 6.6 |
| Статическое сопротивление Rст.,Ом | 45 |
| при токе I ст,мА | 10 |
| Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С | 0.01 |
| Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В | 1.5 |
| Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА | 3 |
| Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА | 22 |
| Рабочая температура,С | -60...125 |
| Способ монтажа | в отверстие |
| Корпус | kd 2 |
| Производитель | Россия |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
220МКФ 200В (22X25) |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 200В
|
CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
220МКФ 200В (22X25) |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 200В
|
|
|
220.00
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DC COMPONENTS
|
12 045
|
1.69
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
400
|
12.49
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DIOTEC
|
1
|
1.93
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
КИТАЙ
|
8
|
1.50
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KEC AMERICA (USD)
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
|
27 324
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
CJ
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
5
|
1
|
2.20
|
|
|
|
TL494CDR |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, 0 to +70C).
|
|
1 313
|
13.61
|
|
|
|
TL494CDR |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, 0 to +70C).
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
3 148
|
26.86
|
|
|
|
TL494CDR |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, 0 to +70C).
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL494CDR |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, 0 to +70C).
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
TL494CDR |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, 0 to +70C).
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL494CDR |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, 0 to +70C).
|
0.00
|
|
|
|
|
|
TL494CDR |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, 0 to +70C).
|
1
|
|
|
|
|
|
TL494CDR |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, 0 to +70C).
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
624
|
|
|
|
|
|
КП504Г |
|
|
|
|
17.52
|
|
|
|
|
КП504Г |
|
|
МИНСК
|
2 228
|
25.44
|
|
|
|
|
КП504Г |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КП504Г |
|
|
2815
|
|
|
|
|
|
КС162А |
|
Стабилитрон кремниевый, малой мощности 3 ... 22мА, 6.2В, 0.15Вт
|
|
1 499
|
15.50
|
|
|
|
КС162А |
|
Стабилитрон кремниевый, малой мощности 3 ... 22мА, 6.2В, 0.15Вт
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КС162А |
|
Стабилитрон кремниевый, малой мощности 3 ... 22мА, 6.2В, 0.15Вт
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
КС162А |
|
Стабилитрон кремниевый, малой мощности 3 ... 22мА, 6.2В, 0.15Вт
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КС162А |
|
Стабилитрон кремниевый, малой мощности 3 ... 22мА, 6.2В, 0.15Вт
|
СЗТП
|
26
|
53.09
|
|
|
|
КС162А |
|
Стабилитрон кремниевый, малой мощности 3 ... 22мА, 6.2В, 0.15Вт
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
КС162А |
|
Стабилитрон кремниевый, малой мощности 3 ... 22мА, 6.2В, 0.15Вт
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КС162А |
|
Стабилитрон кремниевый, малой мощности 3 ... 22мА, 6.2В, 0.15Вт
|
НЗПП
|
520
|
43.39
|
|
|
|
КС162А |
|
Стабилитрон кремниевый, малой мощности 3 ... 22мА, 6.2В, 0.15Вт
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|