ДПМ0.4-20

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
ДПМ0.4-20	400	4.54

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
MAC9M	Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)	FRS/MOT
MAC9M	Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)	ON SEMICONDUCTOR
MAC9M	Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)	FRS
MAC9M	Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)		3	60.48
MAC9M	Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)	ON SEMICONDUCTOR
MAC9M	Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)	ONS
MAC9M	Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)	MOTOROLA	266	117.18
MAC9M	Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)	ONS-FAIR
MAC9M	Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)	1
ДПМ1.2-10 5%
ДПМ1.2-10 5%		ФЕРРОКЕРАМ	4 422	16.80
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный		876	13.62
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	КРЕМНИЙ	612	13.23
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	БРЯНСК	340	16.80
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	МИНСК	446	2.25
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ВОРОНЕЖ
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ТРАНЗИСТОР	1	4.11
КТ602АМ			1 762	4.97
КТ602АМ		ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
КТ602АМ		ВОРОНЕЖ	708	6.30
КТ602АМ		КРЕМНИЙ	274	22.68
КТ602АМ		БРЯНСК	13 595	6.30
РЭС10.06.02