| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
|
23 718
|
1.36
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
TEMIC
|
6 266
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
DC COMPONENTS
|
26 294
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
KINGTRONICS
|
79
|
2.07
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
HOTTECH
|
800
|
1.20
>100 шт. 0.60
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
ST MICROELECTRONICS
|
154
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
RUME
|
23 600
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
ASEMI
|
2 474
|
1.23
|
|
|
|
|
MAC9M |
|
Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)
|
FRS/MOT
|
|
|
|
|
|
|
MAC9M |
|
Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MAC9M |
|
Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)
|
FRS
|
|
|
|
|
|
|
MAC9M |
|
Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)
|
|
3
|
60.48
|
|
|
|
|
MAC9M |
|
Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MAC9M |
|
Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MAC9M |
|
Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)
|
MOTOROLA
|
266
|
117.18
|
|
|
|
|
MAC9M |
|
Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MAC9M |
|
Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)
|
1
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
|
1 196
|
13.62
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
799
|
13.23
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
БРЯНСК
|
1 940
|
16.80
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
МИНСК
|
1 014
|
15.75
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
1
|
3.99
|
|
|
|
|
КТ602АМ |
|
|
|
1 770
|
4.97
|
|
|
|
|
КТ602АМ |
|
|
ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КТ602АМ |
|
|
ВОРОНЕЖ
|
708
|
6.30
|
|
|
|
|
КТ602АМ |
|
|
КРЕМНИЙ
|
274
|
22.68
|
|
|
|
|
КТ602АМ |
|
|
БРЯНСК
|
13 595
|
6.30
|
|
|
|
|
РЭС10.06.02 |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
