ДПМ0.4-20

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BT138-800E	Симистор	NXP
BT138-800E	Симистор		80	67.53
BT138-800E	Симистор	ФИЛИППИНЫ
BT138-800E	Симистор	NXP
BT138-800E	Симистор	PHILIPS	532	81.20
BT138-800E	Симистор	NXP/NEXPERIA	9	37.25
BT138-800E	Симистор	WEEN
BT138-800E	Симистор	NEX-NXP
BT138-800E	Симистор	WEIDA
ДПМ1.2-10 5%
ДПМ1.2-10 5%		ФЕРРОКЕРАМ	4 422	16.96
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный		474	11.78
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	КРЕМНИЙ	80	16.40
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	БРЯНСК	171	16.96
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	МИНСК	3 112	16.96
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ВОРОНЕЖ
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ТРАНЗИСТОР	3	7.85
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	115
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	1872
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	420
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	558
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	6
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	4
КТ602АМ			1 754	2.58
КТ602АМ		ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
КТ602АМ		ВОРОНЕЖ	708	6.36
КТ602АМ		КРЕМНИЙ	274	24.99
КТ602АМ		БРЯНСК	13 595	6.36
КТ602АМ		10
КТ602АМ		10394
КТ602АМ		132
КТ602АМ		6600
КТ602АМ		735
КТ602АМ		9
РЭС10.06.02