|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
|
23 718
|
1.36
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
TEMIC
|
6 266
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
DC COMPONENTS
|
26 294
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
GALAXY ME
|
7 143
|
1.60
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
KINGTRONICS
|
79
|
2.07
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
HOTTECH
|
5 645
|
2.40
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
ST MICROELECTRONICS
|
154
|
1.80
>100 шт. 0.90
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
RUME
|
23 600
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
ASEMI
|
2 436
|
1.22
|
|
|
|
ДПМ1.2-10 5% |
|
|
|
|
|
|
|
|
ДПМ1.2-10 5% |
|
|
ФЕРРОКЕРАМ
|
4 427
|
16.80
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
|
1 196
|
13.62
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
2 143
|
14.52
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
БРЯНСК
|
2 740
|
16.80
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
МИНСК
|
1 014
|
15.75
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
1
|
4.11
|
|
|
|
КТ602АМ |
|
|
|
1 770
|
4.97
|
|
|
|
КТ602АМ |
|
|
ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
КТ602АМ |
|
|
ВОРОНЕЖ
|
708
|
6.30
|
|
|
|
КТ602АМ |
|
|
КРЕМНИЙ
|
293
|
22.68
|
|
|
|
КТ602АМ |
|
|
БРЯНСК
|
13 595
|
6.30
|
|
|
|
РЭС10.06.02 |
|
|
|
|
|
|