| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
|
22 918
|
1.27
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
TEMIC
|
6 266
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
DC COMPONENTS
|
26 214
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
KINGTRONICS
|
79
|
2.07
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
HOTTECH
|
800
|
1.10
>100 шт. 0.55
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
ST MICROELECTRONICS
|
154
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
RUME
|
20 000
|
1.10
>100 шт. 0.55
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
ASEMI
|
2 915
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
193
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
DC COMPONENTS
|
36 971
|
2.90
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
|
36 444
|
1.47
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
YJ
|
2 276
|
4.75
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
MIC
|
27 734
|
2.96
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
WTE
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
YJ ELECTRONIC CORP
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
BILING
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
КИТАЙ
|
8
|
1.50
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
MIG
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
EXTRACOMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
GD
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
TSC
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
YANGJIE
|
30 000
|
2.19
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
KLS
|
611
|
6.35
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
DG
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
LD
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
JANGJIE
|
198
|
2.25
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
1
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
CTK
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
3
|
|
|
|
|
|
|
ГУ-50 |
|
Пентод для усиления мощности и генерации сигналов высокой частоты
|
|
33
|
699.20
|
|
|
|
|
ДПМ1.2-10 5% |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ДПМ1.2-10 5% |
|
|
ФЕРРОКЕРАМ
|
4 422
|
16.96
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
|
474
|
11.78
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
16.40
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
БРЯНСК
|
171
|
16.96
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
МИНСК
|
3 112
|
16.96
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
3
|
7.85
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
115
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
1872
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
420
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
558
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
6
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
4
|
|
|
|
Версия для печати
