IRLML0040TR

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
IRLML0040TR (TECH PUB)	19 874	6.09
IRLML0040TR (TRR)	5 495	3.59
IRLML0040TR (YOUTAI)	43 720	2.49

Версия для печати

Технические характеристики IRLML0040TR

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	56 mOhm @ 3.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 25µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	3.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	266pF @ 25V
Power - Max	1.3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	Micro3™/SOT-23

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
HJR-3FF-12VDC-S-Z		TIANBO	6 250	41.21
HJR-3FF-12VDC-S-Z
HJR-3FF-12VDC-S-Z		TIANBO RELAY	7 254	36.59
LM224ADR		TEXAS INSTRUMENTS	8	19.25
LM224ADR		TEXAS INSTRUMENTS
LM224ADR
LM224ADR		TEXAS
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	MURATA
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	CHINA
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)			25.88
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	MUR	39 568	5.11
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	Murata Electronics North America
PBD-20		BM
PBD-20			2 506	10.50
PBD-20		CONNFLY
PBD-20		KLS	4 741	9.16
PBD-20		NXU
PBD-20		КИТАЙ	80	22.68
PBD-20		CHINA
RLB0914-101KL	Индуктивность 100мкГн, 1A, 8.7x12mm	BOURNS	636	21.56
RLB0914-101KL	Индуктивность 100мкГн, 1A, 8.7x12mm			70.00
RLB0914-101KL	Индуктивность 100мкГн, 1A, 8.7x12mm	Bourns Inc