|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1206-0.25-11О (5%) |
|
|
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
NXP
|
1 789
|
3.25
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
CHENMKO ENTERPRISE
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
PHILIPS
|
532
|
6.63
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
DC COMPONENTS
|
21 408
|
2.59
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
DIOTEC
|
24 678
|
2.29
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
LI-SION TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
|
559
|
7.04
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
GALAXY
|
1 137
|
3.40
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
CHENMKO ENTERPRISE CO, LTD
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
FAIRCHILD
|
5 844
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
1 773
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
NXP
|
2 884
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
OTHER
|
4 357
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
HOTTECH
|
26 368
|
1.97
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
KOME
|
2
|
3.14
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
SUNTAN
|
18 591
|
1.37
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 038
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
SEMTECH
|
1
|
2.54
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
WUXI XUYANG
|
1 024
|
2.15
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
YJ
|
109 381
|
1.40
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
CJ
|
1 244
|
1.60
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
JSCJ
|
273 235
|
1.75
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
JINGDAO
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
DC COMPONENTS
|
299
|
2.47
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
DIOTEC
|
37 956
|
5.18
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
|
20 400
|
1.50
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
HOTTECH
|
207 180
|
2.88
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
LGE
|
12 136
|
1.97
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
SEMTECH
|
16
|
2.92
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
KP-3216P3C |
|
Фототранзистор SMD, Water Clear, 100mW, -40С +85C
|
KB
|
|
|
|
|
|
KP-3216P3C |
|
Фототранзистор SMD, Water Clear, 100mW, -40С +85C
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
KP-3216P3C |
|
Фототранзистор SMD, Water Clear, 100mW, -40С +85C
|
KGB
|
13 132
|
15.28
|
|
|
|
KP-3216P3C |
|
Фототранзистор SMD, Water Clear, 100mW, -40С +85C
|
|
|
11.00
|
|
|
|
KP-3216P3C |
|
Фототранзистор SMD, Water Clear, 100mW, -40С +85C
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
RLB0914-221KL |
|
Индуктивность 220μH 0,7A 8,7x12mm
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
RLB0914-221KL |
|
Индуктивность 220μH 0,7A 8,7x12mm
|
|
|
54.00
|
|