|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
GENERAL SEMI INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
|
1
|
8.80
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
DC COMPONENTS
|
5 267
|
6.42
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
GENERAL SEMI INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
DIOTEC
|
2 719
|
6.38
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
TSC
|
|
|
|
|
|
DIP8 |
|
|
|
|
|
|
|
|
S20K275 |
|
Варистор дисковый 275VAC/350VDC, 8 кА, 151 Дж, -40.+85°С
|
JOYIN
|
|
|
|
|
|
S20K275 |
|
Варистор дисковый 275VAC/350VDC, 8 кА, 151 Дж, -40.+85°С
|
EPCOS
|
|
|
|
|
|
S20K275 |
|
Варистор дисковый 275VAC/350VDC, 8 кА, 151 Дж, -40.+85°С
|
|
|
31.56
|
|
|
|
S20K275 |
|
Варистор дисковый 275VAC/350VDC, 8 кА, 151 Дж, -40.+85°С
|
EPCOS
|
|
|
|
|
|
S20K275 |
|
Варистор дисковый 275VAC/350VDC, 8 кА, 151 Дж, -40.+85°С
|
EPCOS Inc
|
|
|
|
|
|
S20K275 |
|
Варистор дисковый 275VAC/350VDC, 8 кА, 151 Дж, -40.+85°С
|
TDK (EPCOS)
|
|
|
|
|
|
S20K275 |
|
Варистор дисковый 275VAC/350VDC, 8 кА, 151 Дж, -40.+85°С
|
TDK-EPC
|
|
|
|
|
|
КТ209В |
|
|
|
10
|
7.20
|
|
|
|
КТ209В |
|
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
16.83
|
|
|
|
КТ209В |
|
|
ПЛАНЕТА
|
|
|
|
|
|
КТ209В |
|
|
МИНСК
|
1
|
2.00
|
|
|
|
КТ209В |
|
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ209В |
|
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ209В |
|
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ209В |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ209В |
|
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
|
1 079
|
28.70
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
КРЕМНИЙ
|
2 272
|
85.61
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
БРЯНСК
|
7 696
|
32.00
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|