AQW214A
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PhotoMOS™ AQW |
| Каналы | DPST (2 Form A) |
| Тип выхода | AC, DC |
| Сопротивление (On-State) | 50 Ohm |
| Load Current | 100mA |
| Напряжение входное | 1.14VDC |
| Напряжение нагрузки | 0 ~ 400 V |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Termination Style | Gull Wing |
| Корпус (размер) | 8-SMD (300 mil) |
| Корпус | 8-SMD |
| Output Type | AC, DC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 10МКФ 16В (4X5) 105°С |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ, 16В |
|
13.60 | ||||
| 2SK2382 | TOSHIBA |
|
|
|||||
| 2SK2382 |
|
|
||||||
| 2SK2382 | TOS |
|
|
|||||
 |
 |
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | SIEMENS |
|
|
|
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W |
|
130.36 | ||
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | Infineon Technologies |
|
|
|
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | ISC |
|
|
|
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | 1 |
|
|
|
 |
|
MMBD352WT1 |
|
Сдвоенный ограничительный диод шоттки | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
MMBD7000LT1 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | INFINEON |
|
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | MOTOROLA |
|
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | MOTOROLA | 52 |
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | ON SEMICONDUCTOR | 3 265 |
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | Infineon Technologies |
|
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | INFINEON | 2 084 |
|
