PMLL4148L.115

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PMLL4148L.115 (NXP)	129	2.12
PMLL4148L.115 (NEX-NXP)	76	2.25

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
74HC4094D.653	8Stage Shift/Bus Store Reg	NXP
74HC4094D.653	8Stage Shift/Bus Store Reg	NEX-NXP
74HC4094D.653	8Stage Shift/Bus Store Reg
LA4597	Усилитель низкой частоты 2x2.9W (9V/3.2 Ом)	SANYO
LA4597	Усилитель низкой частоты 2x2.9W (9V/3.2 Ом)		1	255.30
LA4597	Усилитель низкой частоты 2x2.9W (9V/3.2 Ом)	SAN
LA4597	Усилитель низкой частоты 2x2.9W (9V/3.2 Ом)	ГЕРМАНИЯ
LA4597	Усилитель низкой частоты 2x2.9W (9V/3.2 Ом)	1
LA4597	Усилитель низкой частоты 2x2.9W (9V/3.2 Ом)	4-7 НЕДЕЛЬ	785
LM2575S-5.0 TO-263-5		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM2575S-5.0 TO-263-5
TCA0372DP1G	ИМС	ON SEMICONDUCTOR	704	159.00
TCA0372DP1G	ИМС			109.20
TCA0372DP1G	ИМС	ONS
TCA0372DP1G	ИМС	ON SEMIC
TCA0372DP1G	ИМС	ON SEMICONDUCTO
TCA0372DP1G	ИМС	ONSEMICONDUCTOR
TCA0372DP1G	ИМС	4-7 НЕДЕЛЬ	260
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный		427	9.20
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	МИНСК	5 992	16.96
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП МИНСК
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	БРЯНСК
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ-С
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	RUS
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	КРЕМНИЙ	800	12.49
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ТРАНЗИСТОР	2 880	49.59
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	1404
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	348
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	570
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	6000