HCPL316J-500E

Оптрон 2A CMRmin=15kV/чs Vcm=1500V

Версия для печати

Технические характеристики HCPL316J-500E

Производитель	Avago Technologies Ltd.
Количество в упаковке	850 шт.
Вес	1.206 г
Конфигурация схемы	Верхн
Максимальное напряжение смещения	891 В
Выходной ток	2000 мА
Опции	Силовые/сигнальные цепи, Защита по току, Флаг
Напряжение изоляции	3750 В
Рабочая температура	-40...100 °C
Температура хранения	-55...125 °C
	Оптоизоляция, UVLO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
E65/32/27 B66387-G-N87 СЕРД.	Сердечник ферритовый N85, 2200, 500 МГц	EPCOS
E65/32/27 B66387-G-N87 СЕРД.	Сердечник ферритовый N85, 2200, 500 МГц			508.48
SFH636	Оптрон 5.3кВ CTR 19%	VISHAY
SFH636	Оптрон 5.3кВ CTR 19%			132.32
SFH636	Оптрон 5.3кВ CTR 19%	МАЛАЙЗИЯ
SFH636	Оптрон 5.3кВ CTR 19%	4-7 НЕДЕЛЬ
КС133А	Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА		2 592	9.94
КС133А	Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА	НЗПП	416	34.10
КС133А	Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА	НОВОСИБИРСК
КС133А	Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА	ХЕРСОН
КС133А	Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
КС133А	Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА	RUS
КС133А	Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА	НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
КС133А	Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА	САРАНСК	48	18.60
КТ3102КМ		КРЕМНИЙ	266	15.62
КТ3102КМ				3.76
КТ3102КМ		МИНСК
КТ3102КМ		НАЛЬЧИК
КТ3102КМ		АЛЕКСАНДРОВ
КТ3102КМ		ИНТЕГРАЛ
КТ3102КМ		RUS
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	КРЕМНИЙ	44	46.85
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В		222	75.60
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	БРЯНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	МИНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	RUS
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ИНТЕГРАЛ
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ТРАНЗИСТОР	30	96.09