| Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 800mV |
| Voltage - Off State | 400V |
| SCR Type | Sensitive Gate |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - On State (Vtm) (Max) | 1.7V |
| Current - On State (It (AV)) (Max) | 500mA |
| Current - On State (It (RMS)) (Max) | 800mA |
| Current - Gate Trigger (Igt) (Max) | 200µA |
| Current - Hold (Ih) (Max) | 5mA |
| Current - Off State (Max) | 100µA |
| Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 8A, 9A |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Корпус | TO-92-3 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
|
1 788
|
2.39
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NXP
|
16 000
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PHILIPS
|
28 085
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
WUXI XUYANG
|
10 127
|
1.45
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
SEMTECH
|
78
|
1.92
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
HOTTECH
|
4 216
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
1
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PLINGSEMIC
|
37 588
|
1.21
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
|
42 871
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
18 844
|
2.10
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
1 568
|
6.80
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DIOTEC
|
16 236
|
3.80
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
656
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DC COMPONENTS
|
17 384
|
1.65
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
HOTTECH
|
89 234
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SEMTECH
|
916
|
1.79
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
LRC
|
2 080
|
2.07
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PANJIT
|
13
|
1.02
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YJ
|
15 195
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SUNTAN
|
111 584
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
1
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
XSEMI
|
60 009
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
INFINEON
|
3 319
|
3.57
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
NUOVA MISTRAL
|
|
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
NXP
|
3 888
|
3.57
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
|
|
7.24
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
INFINEON
|
595
|
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
NUOVA MISTRAL
|
1 144
|
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
PHILIPS
|
770
|
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
INGINEON
|
|
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
NXP
|
422
|
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
JSCJ
|
18 362
|
2.04
|
|
|
|
BZV55C13 |
|
Стабилитрон импортный 13В, кремниевй для SMDмонтажа, 5%
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55C13 |
|
Стабилитрон импортный 13В, кремниевй для SMDмонтажа, 5%
|
|
90 904
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BZV55C13 |
|
Стабилитрон импортный 13В, кремниевй для SMDмонтажа, 5%
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
35
|
1.54
|
|
|
|
BZV55C13 |
|
Стабилитрон импортный 13В, кремниевй для SMDмонтажа, 5%
|
HOTTECH
|
5 860
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
MF-SM200-2 |
|
2 A предохранитель самовосстанавливающийся SMD
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
MF-SM200-2 |
|
2 A предохранитель самовосстанавливающийся SMD
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
MF-SM200-2 |
|
2 A предохранитель самовосстанавливающийся SMD
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
MF-SM200-2 |
|
2 A предохранитель самовосстанавливающийся SMD
|
|
|
|
|