| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
12.49
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
21 216
|
3.54
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DIOTEC
|
2 294
|
4.16
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
|
17 368
|
1.07
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
---
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
201
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
CHINA
|
9 576
|
1.16
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ASEMI
|
4 034
|
1.07
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
2 243
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MERRYELC
|
2 056
|
1.27
|
|
|
|
|
503PRD СВЕТОДИОД КР. 5ММ |
|
|
|
|
4.80
|
|
|
|
|
503PRD СВЕТОДИОД КР. 5ММ |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
503PRD СВЕТОДИОД КР. 5ММ |
|
|
|
|
4.80
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
DC COMPONENTS
|
212 341
|
1.41
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
NXP
|
711
|
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
NEXPERIA
|
34
|
1.50
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
KEEN SIDE
|
6 227
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
DB105 |
|
Диодный мост 1А 600В DB-1
|
DC COMPONENTS
|
7 482
|
4.86
|
|
|
|
DB105 |
|
Диодный мост 1А 600В DB-1
|
MCC
|
|
|
|
|
|
DB105 |
|
Диодный мост 1А 600В DB-1
|
|
7 880
|
2.51
|
|
|
|
DB105 |
|
Диодный мост 1А 600В DB-1
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
DB105 |
|
Диодный мост 1А 600В DB-1
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
DB105 |
|
Диодный мост 1А 600В DB-1
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
DB105 |
|
Диодный мост 1А 600В DB-1
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DB105 |
|
Диодный мост 1А 600В DB-1
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
DB105 |
|
Диодный мост 1А 600В DB-1
|
RECTRON
|
394
|
|
|
|
|
DB105 |
|
Диодный мост 1А 600В DB-1
|
YJ
|
688
|
9.30
|
|
|
|
DB105 |
|
Диодный мост 1А 600В DB-1
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
DB105 |
|
Диодный мост 1А 600В DB-1
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
DB105 |
|
Диодный мост 1А 600В DB-1
|
SEMTECH
|
2 286
|
14.78
|
|
|
|
DB105 |
|
Диодный мост 1А 600В DB-1
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
DB105 |
|
Диодный мост 1А 600В DB-1
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
DB105 |
|
Диодный мост 1А 600В DB-1
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
DB105 |
|
Диодный мост 1А 600В DB-1
|
KEEN SIDE
|
4 671
|
3.99
|
|
|
|
|
КС406А |
|
стекло
|
|
85
|
24.99
|
|