Версия для печати

2SC2053 (Радиочастотные биполярные транзисторы) Npn Epitaxial Planar Type (for Rf Amplifiers On Vhf Band Mobile Radio Applications) Производитель: Mitsubishi Electric Semiconductor //www.mitsubishichips.com 2SC2053 datasheet 124.33Kb 3стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4007			DC COMPONENTS	86 914	1.52
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			PANJIT
		1N4007			FSC
		1N4007			MCC
		1N4007			DIC
		1N4007			FAIR
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			MIC	303 428	1.47
		1N4007			DIOTEC	70 344	2.88
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			LD
		1N4007			JGD
		1N4007			MING SHUN
		1N4007			MS
		1N4007			QUAN-HONG
		1N4007			XR
		1N4007			GALAXY
		1N4007			COMPACT TECHNOLOGY
		1N4007			DC COMPONENTS
		1N4007			FAIRCHILD	288
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR	1
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			MASTER INSTRUMENT CORPORATION
		1N4007			MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			PANJIT	307 692
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N4007			YANGJIE SEMICONDUCT
		1N4007			Fairchild Semiconductor
		1N4007			SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N4007			MICROSEMI CORP
		1N4007			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4007			GD
		1N4007			JC
		1N4007			KINGTRONICS
		1N4007			YJ	348 819	1.26
		1N4007			DIODES INC.
		1N4007			MIG
		1N4007			MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		1N4007			MOTOROLA
		1N4007			YJ ELE-NIC CORP
		1N4007			RECTIFIER
		1N4007			EXTRA COM-NTS
		1N4007			GALAXY ELECTRICAL
		1N4007			GEMBIRD
		1N4007			ТОМИЛИНО
		1N4007			EXTRA
		1N4007			КИТАЙ	816	4.54
		1N4007			DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N4007			MD
		1N4007				21 922	1.66  >100 шт.   0.83
		1N4007			ONS-FAIR
		1N4007			ONS
		1N4007			ELZET
		1N4007			GALAXY ME
		1N4007			LGE	1 120	1.03
		1N4007			HOTTECH	110 336	2.00  >100 шт.   1.00
		1N4007			KLS	216	2.07
		1N4007			YS	2 311	1.36
		1N4007			YANGJIE	75 040	1.46
		1N4007			YANGJIE (YJ)
		1N4007			MC
		1N4007			FAIRCHILD
		1N4007			WUXI XUYANG
		1N4007			KUU	4	1.02  >500 шт.   0.34
		1N4007			CHINA
		1N4007			SUNRISETRON
		1N4007			UNKNOWN
		1N4007			BILIN
		1N4007			KEHE
		1N4007			1
		1N4007			BL
		1N4007			SUNTAN
		1N4007			TWGMC	31 549	1.05  >500 шт.   0.35
		1N4007			CTK
		1N4007			JUXING	85	1.75
		1N4007			ASEMI
		1N4007			YANGZHOU YANGJIE
		1N4007			KEEN SIDE	162	1.16  >100 шт.   0.58
		3006P-1-501		Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный	CHINA
		3006P-1-501		Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный	BOURNS
		3006P-1-501		Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный	BARONS
		3006P-1-501		Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный		11	32.00
		3006P-1-501		Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный	Bourns Inc
		3006P-1-501		Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный	КИТАЙ
		AD817ANZ		Низкопотребляющие, высокоскоростные операционные усилители, 50МГц, 350В/мкС, Uпит от ...	ANALOG DEVICES
		AD817ANZ		Низкопотребляющие, высокоскоростные операционные усилители, 50МГц, 350В/мкС, Uпит от ...			569.20
		AD817ANZ		Низкопотребляющие, высокоскоростные операционные усилители, 50МГц, 350В/мкС, Uпит от ...	ANALOG
		AD817ANZ		Низкопотребляющие, высокоскоростные операционные усилители, 50МГц, 350В/мкС, Uпит от ...	Analog Devices Inc
		AD817ANZ		Низкопотребляющие, высокоскоростные операционные усилители, 50МГц, 350В/мкС, Uпит от ...	США
		AD817ANZ		Низкопотребляющие, высокоскоростные операционные усилители, 50МГц, 350В/мкС, Uпит от ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		AD817ANZ		Низкопотребляющие, высокоскоростные операционные усилители, 50МГц, 350В/мкС, Uпит от ...	4-7 НЕДЕЛЬ	281
		AD817ANZ		Низкопотребляющие, высокоскоростные операционные усилители, 50МГц, 350В/мкС, Uпит от ...	ADI
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный		1 147	16.65
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	КРЕМНИЙ	80	60.48
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	БРЯНСК	154	36.12
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	ФРЯЗИНО	481	16.80
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	RUS
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	ЭЛЕКТРОНПРИБОР	400	49.14
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	КРЕМН
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	ЭДЬТАВ
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	ЭЛЬТАВ	300	16.80
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	УЛЬЯНОВСК	120	16.80
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	КРЕМНИЙ ЭЛ	109	18.76
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	14	16	203 226.86
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	151	8	201 009.11
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	179	16	203 630.09
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	260	8	200 807.50
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	342	8	200 706.69
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	376	8	200 706.69
		КТ837Е			КРЕМНИЙ	84	86.94
		КТ837Е			ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
		КТ837Е			ВОРОНЕЖ
		КТ837Е			БРЯНСК
		КТ837Е			МИНСК
		КТ837Е				502	37.00
		КТ837Е			КРЕМН
		КТ837Е			КРЕМНИЙ ЭЛ	15	34.12

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"