М1000НМ-А-К7Х4Х2

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
М1000НМ-А-К7Х4Х2	20 867	3.70

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	32.13
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	2 881	8.46
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	4-7 НЕДЕЛЬ	552
RX27-1 110 ОМ 5W 5% / SQP5			1 600	3.91
RX27-1 7.5 ОМ 15W 5% / SQP15
SQP 5 ВТ 100 ОМ, 5%		ТАЙВАНЬ
КП303А	Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.			57.60
КП303А	Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.	ФОТОН	14 570	25.20
КП303А	Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.	АЛЕКСАНДРОВ
КП303А	Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.	RUS
КП303А	Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.	ЭЛЕКС	532	117.18