М1000НМ-А-К7Х4Х2

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
М1000НМ-А-К7Х4Х2	20 867	3.70

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	34.36
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	113	13.18
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	4-7 НЕДЕЛЬ	552
SQP 5 ВТ 100 ОМ, 5%		ТАЙВАНЬ
Y5V-0.047UF +80%-20% 50V	Керамический конденсатор 0.047 мкФ 50 В	SUNTAN
Y5V-0.047UF +80%-20% 50V	Керамический конденсатор 0.047 мкФ 50 В			2.68
КП303А	Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.		4	240.50
КП303А	Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.	ФОТОН	13 444	25.44
КП303А	Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.	АЛЕКСАНДРОВ
КП303А	Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.	RUS
КП303А	Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.	ЭЛЕКС	532	152.26
КТ368АМ	Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА		120	5.52
КТ368АМ	Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА	СВЕТЛАНА
КТ368АМ	Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА	МИНСК
КТ368АМ	Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА	АЛЕКСАНДРОВ
КТ368АМ	Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА	ИНТЕГРАЛ	4	16.40