Версия для печати
Технические характеристики IRFBC30

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	31nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	660pF @ 25V
Power - Max	74W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

IRFBC30 N - Channel Powermesh Mosfet Производитель: STMicroelectronics //www.st.com IRFBC30 datasheet 87.84Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		H11L2			FAIR
		H11L2				29	74.00
		H11L2			FAIRCHILD
		H11L2			FAIRCHILD
		H11L2			Fairchild Optoelectronics Group
		H11L2			ISO
		NE555DT		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	NEC
		NE555DT		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	ST MICROELECTRONICS	82	12.60
		NE555DT		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...		4	41.58
		NE555DT		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		NE555DT		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	STMICROELECTRONICS
		NE555DT		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	МАРОККО
		NE555DT		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	ST MICROELECTR
		NE555DT		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	ST MICROELECTRO
		NE555DT		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	STMICROELECTR
		NE555DT		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	4-7 НЕДЕЛЬ	67
		STP5NK80Z		Транзистор N-Канальный+Z-Dio 800V 4,3A 110W 2,4R	ST MICROELECTRONICS
		STP5NK80Z		Транзистор N-Канальный+Z-Dio 800V 4,3A 110W 2,4R	STMicroelectronics
		STP5NK80Z		Транзистор N-Канальный+Z-Dio 800V 4,3A 110W 2,4R
		STP5NK80Z		Транзистор N-Канальный+Z-Dio 800V 4,3A 110W 2,4R	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP5NK80Z		Транзистор N-Канальный+Z-Dio 800V 4,3A 110W 2,4R	ST MICROELECTRO
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	ST MICROELECTRONICS	4 515	38.99
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	UTC
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8		3	128.52
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	STMicroelectronics
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	ON Semiconductor
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	КИТАЙ
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	ST MICROELECTRO
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	1
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	4-7 НЕДЕЛЬ	244
		ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 ЗЕЛ. 0.5М					33.84
		ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 ЗЕЛ. 0.5М			ПОЛЬША
		ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 ЗЕЛ. 0.5М			ГЕРМАНИЯ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"