Версия для печати
Технические характеристики TAJB106K016R

Номинальное напряжение	16 В
Емкость	10 мкФ
Серия	TAJ
Корпус (размер)	3528-21
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Электролитический танталовый

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Электролитический танталовый

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC327-16		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 800MA, TO-92	NXP
		BC327-16		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 800MA, TO-92	MOTOROLA
		BC327-16		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 800MA, TO-92	ON SEMICONDUCTOR
		BC327-16		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 800MA, TO-92	PHILIPS
		BC327-16		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 800MA, TO-92	DIOTEC
		BC327-16		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 800MA, TO-92	FAIR
		BC327-16		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 800MA, TO-92	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		BC327-16		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 800MA, TO-92	FAIRCHILD
		BC327-16		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 800MA, TO-92	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		BC327-16		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 800MA, TO-92	FAIRCHILD
		BC327-16		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 800MA, TO-92	MOTOROLA
		BC327-16		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 800MA, TO-92	NXP
		BC327-16		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 800MA, TO-92	ON SEMICONDUCTOR
		BC327-16		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 800MA, TO-92	PHILIPS
		BC327-16		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 800MA, TO-92	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		BC327-16		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 800MA, TO-92	0.00
		BC327-16		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 800MA, TO-92			5.64
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP	2 648	2.10
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DC COMPONENTS	18 057	1.54
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DIOTEC	18 155	3.79
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ES
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS	486
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	STMicroelectronics
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	КИТАЙ
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	INFINEON TECH
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY ME
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	HOTTECH	293 875	1.62  >100 шт.   0.81
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...		17 285	1.52  >100 шт.   0.76
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	LRC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KLS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KOME	1	1.60
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	SUNTAN	4 320	1.62  >100 шт.   0.81
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YANGJIE (YJ)
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NEX-NXP	112	2.07
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YJ	4 382	1.03
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	TRR	60 000	1.29  >500 шт.   0.43
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	XXW	145 659	1.41  >500 шт.   0.47
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	CTK	160	1.50  >100 шт.   0.75
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KEEN SIDE	600	1.05  >500 шт.   0.35
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	MERRYELC	246 080	1.14  >100 шт.   0.57
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YANGJIE	1 900	1.26  >500 шт.   0.42
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	2375
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	935
		IRF9530		Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF9530		Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт	VISHAY
		IRF9530		Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт			61.44
		IRF9530		Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт	Vishay/Siliconix
		IRF9530		Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт	КИТАЙ
		IRF9530		Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER	29
		IRLML6402TR		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6402TR		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А		1 188	25.90
		IRLML6402TR		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6402TR		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	INFINEON
		IRLML6402TR		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	HOTTECH
		IRLML6402TR		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	VBSEMI	1	3.79
		IRLML6402TR		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	TECH PUB
		IRLML6402TR		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	OLITECH	180	5.88
		IRLML6402TR		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	YOUTAI	12 726	2.21
		TAJD107K016R		Электролитический танталовый конденсатор 100 мкФ, 16 В, 10%	AVX
		TAJD107K016R		Электролитический танталовый конденсатор 100 мкФ, 16 В, 10%	AVX
		TAJD107K016R		Электролитический танталовый конденсатор 100 мкФ, 16 В, 10%
		TAJD107K016R		Электролитический танталовый конденсатор 100 мкФ, 16 В, 10%	ЧЕХИЯ
		TAJD107K016R		Электролитический танталовый конденсатор 100 мкФ, 16 В, 10%	ЧЕШСКАЯ РЕСПУБЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"